IRF3205, MOSFET de 55V, 110A

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Descripción

Información:

Este transistor mosfet utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, le brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

 

Especificación:

  • Vdss: 55V
  • Rds(on): 8.0mΩ
  • Id: 110A
  • Tecnología avanzada de procesos
  • Resistencia ultra baja
  • Clasificación dinámica dv / dt
  • Temperatura de funcionamiento de 175 ° C
  • Cambio rápido
  • Totalmente calificado de avalancha
  • Encapsulado: TO220AB

Aplicaciones:

Aplicaciones industriales.

Información adicional

Peso 0.000000 g