BC337, Transistor de pequeña señal NPN 4

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Descripción

Información:

 

El transistor bipolar está compuesto por silicio de semiconductor de tres regiones que forman dos uniones P-N-P que son llamados emisor, colector y base.

 

Especificación:

 

  • Tipo de Transistor P-N-P
  • Disipación de Potencia de 625mW
  • Límite de colector base de 50v
  • Límite de colector emisor-base de tensión de 45v
  • Límite de tensión emisor-base de 5v
  • Máxima corriente continua de colector del transistor de 100mA
  • Límite de temperatura unión PN de 150°
  • Frecuencia de corte de corriente de 150MHz
  • Capacidad de la unión de colector de 20

 

Aplicaciones:

 

Los transistores son muy usados en electrónica como Amplificadores de Audio, Equipos de Medicina y Equipos Informáticos.

Información adicional

Peso 0.000000 g
Especificaciones

-Máxima disipación de potencia continua colector del transistor (Pc): 360mW, -Limite el colector DC-base (Ucb): 50V,, -Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 45V,, -Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V,, -Máxima corriente continua de colector del transistor (Ic max): 800mA,, -Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C,, -Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft): 60MHz,, -Capacidad de la unión de colector (Cc)

Documentos

bc337_bc338.pdf